Полупроводниковый транзистор Q11 IRF520N применяется в новых версиях мощной радиостанции OPTIM-778. 

Фото Полупроводниковый транзистор Q11 IRF520N

Технические характеристики полупроводникового транзистора Q11 IRF520N

Наименование

IRF520N

Тип транзистора

MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 

48 Вт

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds):

10 В

Пороговое напряжение включения Ugs (th)

4 В

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id)

9,7 А

Максимальная температура канала (Tj)

150 °C

Общий заряд затвора (Qg)

16.7 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)

0,2 Ом

Тип корпуса

TO220AB

Для ремонта выходного каскада рации Оптим 778 применяется два транзистора IRF520N, рекомендуем их устанавливать на термопасту.

Запасные части, другие транзитсторы, аксессуары и комплектующие для радиостанций